報(bào)告題目：1T相二維過(guò)渡金屬硫化物中電荷密度波相變的新視野
報(bào)告時(shí)間：2025年1月2日（周四）上午10:00-11:00
報(bào)告地點(diǎn)：理學(xué)院10號(hào)樓415室
報(bào)告人：付召明教授（云南師范大學(xué)）
報(bào)告摘要：1T相二維過(guò)渡金屬硫化物中電荷密度波（CDW）相變的機(jī)制一直備受關(guān)注。費(fèi)米面嵌套和電子-聲子耦合被認(rèn)為是兩個(gè)可能的候選答案。該類(lèi)體系的正常相（通常為金屬）中存在軟化的聲子模，這是其能夠發(fā)生CDW相變的顯著特征。因此，這兩種機(jī)制側(cè)重于解釋聲子軟化的起源。然而該類(lèi)體系中的CDW相變還常伴隨其它新奇的電子行為，比如在TaS2，TaSe2和NbSe2中伴隨CDW相變而形成的平帶結(jié)構(gòu)，及其塊體中所出現(xiàn)的層間二聚化行為，還有在TiSe2正常相中實(shí)驗(yàn)和理論分別觀(guān)察到的正、負(fù)帶隙的矛盾。而上述兩種機(jī)制并不能直接解釋這些相伴的電子行為。研究工作試圖從配位場(chǎng)和配位鍵的視角去理解這些與CDW相伴的新奇電子行為，提出了TaS2等體系中晶體場(chǎng)協(xié)助的相變機(jī)制和平帶的起因，并從配位鍵的視角統(tǒng)一解釋了TiSe2中的結(jié)構(gòu)相變和正常相下正帶隙的起源。
報(bào)告人簡(jiǎn)介：付召明，男，教授，博士生導(dǎo)師。2011年獲復(fù)旦大學(xué)獲理學(xué)博士學(xué)位，2015-2017年中科院物理所博士后，現(xiàn)任職于云南師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院。主要從事計(jì)算凝聚態(tài)物理理論方面研究，具體包括低維強(qiáng)關(guān)聯(lián)材料的物性；電荷密度波相變，磁性與鐵電物理；表面、界面與低維物理等。目前，主持在研國(guó)家自然科學(xué)基金2項(xiàng)，以第一或通訊作者在Phys. Rev. Lett., Nano Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett.等知名物理學(xué)期刊上發(fā)表論文多篇。
理學(xué)院
2024年12月31日
